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空间辐射效应是影响器件空间性能的重要因素，特别是单粒子锁定现象一直是困扰CMOS器件在空间应用的一个难题。为此，文中分析了空间单粒子锁定效应机理、特点、模拟试验及检测方法，并选取典型空间用器件开展了单粒子锁定试验研究，在此基础上，结合试验数据分析给出了单粒子锁定防护方法、监测方法及建议，供相关技术人员参考。