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研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、X射线双晶衍射（XRDCD）和光致发光（PL）谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。