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在有效质量近似下，运用变分法计算了闪锌矿GaN／AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能．数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数，当杂质位于量子点中心时，施主束缚能最大，而且随着中间垒宽的增加，杂质束缚能保持着先增加，然后不变的趋势．
闪锌矿GaN／AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态
【摘 要】
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在有效质量近似下，运用变分法计算了闪锌矿GaN／AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能．数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数，当杂质
【机 构】
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河南师范大学物理与信息工程学院,新乡医学院生命科学技术系
【出 处】
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河南师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年4期
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