【摘 要】
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我们用一种新方法在硅上形成硅化物,硅片上溅射一层600 A的钛膜,在室温下用400keV4×10~(15)Xe~(++)/cm~2,1×10~(16)Xe~(++)/cm~2辐照,利用离子来混合效应形成1000A硅化钛膜
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我们用一种新方法在硅上形成硅化物,硅片上溅射一层600 A的钛膜,在室温下用400keV4×10~(15)Xe~(++)/cm~2,1×10~(16)Xe~(++)/cm~2辐照,利用离子来混合效应形成1000A硅化钛膜.用MeV He 离子背散射方法研究了硅化钛组成和厚度并讨论了形成机制.
We use a new method to form a silicide on silicon, sputtered a layer of 600 A titanium film on the silicon wafer, with 400keV4 × 10 ~ (15) Xe ~ (++) / cm ~ 2, 1 × 10 ~ (16) Xe ~ (++) / cm ~ 2, and the mixed effect of ions was used to form a 1000A titanium silicide film.The composition and thickness of titanium silicide were studied by MeV He ion backscattering method and the formation mechanism was discussed.
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