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铁杂质对真空定向凝固多晶硅电阻率的影响
铁杂质对真空定向凝固多晶硅电阻率的影响
来源 :化工设计通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenmojay
【摘 要】
:
应用有效的测试仪器和分析设备对真空定向凝固多晶硅中铁杂质的赋存形态,以及硅锭从底部到顶部的四个特征位置的径向电阻率的分布情况进行研究。研究表明,铁杂质在真空定向凝
【作 者】
:
高志明
【机 构】
:
亚洲硅业(青海)有限公司
【出 处】
:
化工设计通讯
【发表日期】
:
2018年9期
【关键词】
:
Fe杂质
真空定向凝固
多晶硅
电阻率
赋存形式
Fe impurity
vacuum directional solidification
polycryst
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应用有效的测试仪器和分析设备对真空定向凝固多晶硅中铁杂质的赋存形态,以及硅锭从底部到顶部的四个特征位置的径向电阻率的分布情况进行研究。研究表明,铁杂质在真空定向凝固多晶硅之中主要以α-Fe(Si)和β-Fe(Si)两种赋存形态存在。
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