制作隐埋异质结半导体激光器的新途径

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【摘要】

：

本文介绍采用杂质感应混乱(IID)制作隐埋异质结(BH)激光器的新颖技术,该技术对制作高性能隐埋异质结量子阱激光器是一种十分简便可行的方法. This paper presents a novel t

【作者】

：

廖先炳

【机构】

：

电子部第44所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

1989年04期

【关键词】

：

异质结半导体激光器激光器量子阱杂质有源区异质结激光器闭管扩散感应转换效率

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本文介绍采用杂质感应混乱(IID)制作隐埋异质结(BH)激光器的新颖技术,该技术对制作高性能隐埋异质结量子阱激光器是一种十分简便可行的方法. This paper presents a novel technique for fabricating a buried heterojunction (BH) laser using impurity induced confusion (IID), which is a very simple and feasible method for making high performance buried heterojunction quantum well lasers.

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