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三氧化钨是具有多功能的宽带隙半导体材料，它表现出许多独特的性质，具有广阔的应用前景，成为目前纳米材料的一个研究热点。三氧化钨有显著的电致变色、气致变色、热致变色、光致变色的特性，它们可以用来做成平板显示器、灵巧窗口、温湿度传感器等等。此外，一些氧化钨低值氧化物(WO3-x))还有很好的电特性，尤其表现在超导及电荷输运能力方面。本文利用光电子能谱技术，对三氧化钨纳米线的还原进行深入细致的分析，力图阐明其还原所经历的复杂过程。