采用BF_2注入基区加快速热处理工艺的30GHzf_T亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征

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采用BF_2注入基区加快速热处理工艺的30GHzf_T亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征=processanddevicecharacterlzationfora30-GHzf_Tsubmicrometerdoublepoly-Sibipo... Process and device characterization of 30GHzf_T sub-micron double-layer polysilicon bipolar technology with BF_2 injection into the base to speed up the rapid thermal process ... processanddevicecharacterlzationfora30-GHzf_Tsubmicrometerdoublepoly-Sibipo ...
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