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利用低温水热法生长的ZnO纳米棒（ZnO--NRs），和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-（2-乙基己氧基）-1，4-苯撑乙烯撑]（MEH-PPV）复合制备了结构为“ITO／ZnO晶种／ZnO--NRs／MEH-PPV／A1”的发光器件。测试结果发现，该器件具有非常好的二极管整流特性。对ZnO～NRs／MEH-PPV异质结施加超过17V的反向偏压时，可同时获得两种半导体材料的发光，且ZnO近紫外光（380nm）发射强度远大于MEH-PPV的红橙光强度，发光功率随着反向偏压的增加迅速增强，然而施加正向偏