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一种经过氮化处理背面吸杂的N沟MOS场效应管,在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量,将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱进行比较发现,器件经过短时间背面吸杂,其闪烁噪声降低,相长时间吸杂则噪声趋势,探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明,器件的低频噪声是由载流子对Si-SiO2界面陷阱的热激发造成的,而背面吸杂则导致Si-SiO2的应力衰竭,进而改变了截面陷阱的能量分布。