高压下GaN的电子结构及光学性质的理论研究

来源 :四川师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:sxlijx
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基于密度泛函理论,深入讨论了GaN(闪锌矿(B3)和氯化钠(B1))的晶体结构、相变压强和弹性性质.用等焓原理,获得B3-B1的相变压强为44.6GPa,与相关的理论结果吻合较好.随着压强的增加,GaN的静态介电常数ε1(0)逐渐减小.介电函数的实部ε1(w)和虚部ε2(W)的第一个峰都向入射光子的高能方向移动,而且强度逐渐减弱.此外,压强对吸收光谱和折射率也有重要的影响.
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