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本文叙述了使用硅集成电路工艺技术制作的电容式压力传感器.以常规LPCVD技术淀积的多品硅、经腐蚀掏空多晶硅层与硅衬底之间的中间氧化层形成空隙,随后将具有可变形的多品硅隔膜封成真空腔.该腔随外界压力改变引起多晶硅膜变形,用测量隔膜与硅衬底电极之间电容的变化来测量压力的变化。介绍了微型低压传感器的设计、制造工艺和测试结果.