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将C60薄膜沉积在Al上，制成了Al／C60结构的薄膜二极管。对Al／C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体（MIS）结构的电学特性做了研究。Al／C60肖特基结构在偏压±2V时的整流比为30，而Al／C60的MIS结构在偏压±2V时主流比为100。在MIS结构中，AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现，刚沉积好的薄膜二极管，其整流效应并不理想，在真空中经退火处理后，其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。