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研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过680℃退火30 min,观察到了量子点的光致发光.
GeSi量子点的发光特性研究
【摘 要】
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研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过680℃退火30 min,观察到了量子点的光致发光
【机 构】
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长沙理工大学
【出 处】
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长沙电力学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年2期
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