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采用四甲氧基硅（TMOS）、硝酸锌和硝酸锰为原料，用sol-gel法合成了Zn2SiO4：Mn^2＋荧光粉。XRD分析确定试样均为a-Zn2SiO4晶体结构。利用荧光分析测定试样的发射光谱和激发光谱，分析了所合成的Zn2SiO4：Mn^2＋荧光粉材料发光强度，最强峰位等与初始原料用量、Mn^2＋粒子取代Zn^2＋程度、热处理温度等的相互关系，结果显示，首先采用TMOS过量1％的配比；其次，采用（2-3）℃／min的缓慢升温速度在1120，1150，1050℃分别保温1，2，4h；最后在空气中急冷获得的Zn