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MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重.本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径,减小了自加热的负面效应.
一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法
【摘 要】
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MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重.本文通过在SOI和基片之间增加一
【机 构】
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美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系,83725,爱达荷州美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系,83725,爱达荷州;美国Micron公司,83707,爱达荷州;
【出 处】
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南京师范大学学报(工程技术版)
【发表日期】
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2003年4期
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