【摘 要】
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随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的容软错误锁存器.该锁存器采用分离反相器P、N
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
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随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的容软错误锁存器.该锁存器采用分离反相器P、N管栅极的方法构建内部冗余存储节点使其对SEU完全免疫,并且进行了滤波设计使其可以屏蔽SET.HSPICE的仿真结果表明,与其他加固结构相比,该锁存器在综合考虑容错性能和开销时有明显的优势,而且受到工艺偏差和温度的影响较小.
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