【摘 要】
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基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g标准的并发双频段低噪声放大器(LNA)。为了在功耗限制下同时实现噪声系数和输入阻抗的匹配,采用共源共栅电感
【基金项目】
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河南省科技发展计划科技攻关项目(132102210441),河南省高校骨干教师资助计划项(2015GGJS-252),河南省教育厅省级教改项目(2017SJGLX456).
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基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g标准的并发双频段低噪声放大器(LNA)。为了在功耗限制下同时实现噪声系数和输入阻抗的匹配,采用共源共栅电感退化拓扑结构。该LNA在2.4GHz和5.2 GHz下,输入发射系数分别为-16.7dB和-19.5dB,正向增益分别为16.8dB和17.2dB。而且在2.4 GHz和5.2GHz下,噪声系数分别取得了3.1dB和3.2dB,输入三阶截止点分别为-18.5 dBm和-16.5 dBm。该LNA在1.2V电压
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