【摘 要】
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n-区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+(SiGe)-n--n+异质结功率二极管,对该新结构的反向恢复特性及正反向I-V特性进行了模拟,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析.与n-
【机 构】
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西安理工大学应用物理系,西安理工大学电子工程系
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n-区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+(SiGe)-n--n+异质结功率二极管,对该新结构的反向恢复特性及正反向I-V特性进行了模拟,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析.与n-区固定掺杂的普通p+(SiGe)-n--n+二极管相比,在正向压降基本不发生变化的前提下,渐变掺杂后的器件反向恢复时间可缩短一半,反向峰值电流能降低33%,反向恢复软度因子可提高1.5倍.并且,随着n-区渐变掺杂的层数增多,反向恢复特性越好.
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