【摘 要】
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单层SnS薄膜作为一种典型的二维材料,由于其电子结构中存在能隙,因此在光电和催化等领域拥有广阔的应用前景.基于第一性原理计算,采用多体格林函数理论的GW近似方法,研究了单
【基金项目】
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陕西科技大学博士科研启动基金项目(2016BJ-77)。
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单层SnS薄膜作为一种典型的二维材料,由于其电子结构中存在能隙,因此在光电和催化等领域拥有广阔的应用前景.基于第一性原理计算,采用多体格林函数理论的GW近似方法,研究了单层SnS薄膜经过准粒子修正后的能带特征和带隙宽度,并利用描述电子和空穴对的Bethe-Salpeter方程(BSE)给出了这类二维薄膜的介电函数和光吸收特性.以此为基础,还系统研究了施加不同应变对单层SnS薄膜的电子结构和光吸收特性的影响和调控,研究结果表明通过在二维面内施加不同应变,能够实现对单层SnS薄膜的带隙宽度和带隙类型(直接和间
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