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二硅化钨形成、结构和电性质的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dande

【摘 要】

：

本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻率随后退火温度的变化与微结构有关.淀积薄膜

【作 者】

：

丁训良 王忠烈 钱亚宏 

【机 构】

：

北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1988年05期

【关键词】

：

离子束混合 硅化钨的电特性 微结构 氧杂质效应 混合机理 

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本文报道用As离子束混合形成WSi₂的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi₂的形成温度可大大降低.WSi₂薄膜电阻率随后退火温度的变化与微结构有关.淀积薄膜过程中引入的氧杂质限止晶粒生长,影响WSi₂薄膜的电阻率.观察到退火过程中氧杂质和注入As离子的再分布和严重丢失.进一步讨论了离子束混合形成硅化物的机理.

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