对GD-a-SiC∶H膜等离子刻蚀的研究

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本文研究了通入(CF_4+O_2)混合气体对 GD—a—SiC∶H 膜的等离子刻蚀.通过测量混合气体中 O_2的比例对刻蚀速率的影响,得到 O_2气比例为76%时最大刻蚀速率大约是1500(?)/分. In this paper, the plasma etching of GD-a-SiC:H film by the mixed gas of (CF 4 + O 2) was studied. By measuring the influence of the ratio of O 2 in the mixed gas on the etching rate, the maximum O 2 gas ratio of 76% The etch rate is about 1500 (?) / Min.
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