Cu-In多层膜后硒化法制备CuInSe2多晶薄膜及性能的研究

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CuInSe2是优异的薄膜太阳能电池吸收层材料.本文在玻璃衬底上真空蒸镀Cu-In多层膜后,硒化制得了CuInSea多晶薄膜.通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜的晶粒分布比较均匀,在相同的实验条件下,元素原子比在化学计量比的附近能够获得比较大的晶粒.测量了薄膜的厚度和方块电阻,并由此计算了薄膜的电阻率,发现了薄膜的电阻率随着Se含量的增加呈增大趋势.对薄膜的光透过率测量显示,在可见光的范围内,1.8 μm厚的薄膜的光透过率小于0.7%.XRD物相分析显示,元素比例在化学计量比(Cu:In:Se=1:1:2)附近能够制得单一相的CuInSe2多晶薄膜.
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