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为了使强流重离子加速器装置(HIAF)碳化硅功率开关器件SiCMOSFET工作在理想状态,设计了基于SIC1182K驱动芯片的SICMOSFET驱动电路。对该驱动电路的输出电压、响应时间、脉宽连续可调性、稳定性和可靠性进行实验测试,测试结果表明:该驱动电路能够长时间、稳定可靠工作,满足SiC MOSFET的工作需求。