【摘 要】
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基于当前不同研究者在研究高锰硅过程中选用的本底真空度区间跨度过大的现状,本文以本底真空度为变量,在Si衬底上沉积锰膜,对不同本底真空度下获得的Mn/Si膜同时进行Ar气氛退
【基金项目】
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贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础〔2018〕1028),贵州大学研究生重点课程资助项目(贵大研ZDKC〔2015〕026),国家自然科学基金资助项目(批准号:61264004),贵州省高层次创新型人才培养资助项目(黔科合人才〔2015〕4015),贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同〔2018〕09)
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基于当前不同研究者在研究高锰硅过程中选用的本底真空度区间跨度过大的现状,本文以本底真空度为变量,在Si衬底上沉积锰膜,对不同本底真空度下获得的Mn/Si膜同时进行Ar气氛退火处理,退火前后的样品均用SEM对其形貌进行表征,并对结果进行分析,以确定合适的本底真空度参数。结果表明:在10^-3 Pa本底真空度下,退火前薄膜表面的锰粒子会出现明显团聚现象,当本底真空度提高到10^-4 Pa量级时,团聚现象得到显著改善。在4×10^-3~8×10^-4 Pa本底真空度下,锰粒子的分布均匀程度较
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