【摘 要】
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利用深能级瞬态谱(DLTS)仪对SiC衬底上GaN基光发射二极管(LED)中n-In025Ga0.75N层的深能级进行了研究.在77 K到300 K的温度扫描范围内只测量到一个DLTS峰.该DLTS峰在反向偏压
【机 构】
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南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
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利用深能级瞬态谱(DLTS)仪对SiC衬底上GaN基光发射二极管(LED)中n-In025Ga0.75N层的深能级进行了研究.在77 K到300 K的温度扫描范围内只测量到一个DLTS峰.该DLTS峰在反向偏压为3 V时有一极大值,说明n-In0.025Ga0.75N层此时全部被耗尽.改变测量的率窗,得到该深能级在导带下0.24 eV处,浓度为2.2%ND,俘获截面为1.93×10-15cm2.在GaN材料中,其他小组也报道了此位置上的深能级结果.结合文中的工作,该深能级可能和n-In025Ga
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