TiC陶瓷中H原子扩散行为第一性原理计算研究

来源 :核化学与放射化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rainbow0938
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采用第一性原理计算方法研究了H原子在立方TiC晶格中的结构稳定性及扩散行为。结果表明:H原子在TiC晶格中的最稳定位点位于Ti/C六面体中靠近C原子的C-H(C-HS)位置,H被C原子捕获而形成C-H键,键长1.15A(1A=0.1 nm),零点修正(ZPE)后形成能为1.58 eV;其次是Ti/C六面体中心位置(CS),H原子主要与Ti原子成键,ZPE修正后的形成能为1.75 eV。采用CI-NEB方法计算预测了TiC晶格中H间隙原子的最优扩散路径,即先在Ti/C六面体内沿(110)晶面进行“跳跃”
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