【摘 要】
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通过电极偏压来控制KT-5C装置边缘区等离子体的径向电场,发现在正偏压作用下,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构,从而形成一个加强的E×B剪切层.剪切层附近的等离
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通过电极偏压来控制KT-5C装置边缘区等离子体的径向电场,发现在正偏压作用下,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构,从而形成一个加强的E×B剪切层.剪切层附近的等离子体参数变陡,不仅等离子体极向流速度大大增加,而且其方向也由沿电子逆磁漂移方向改变为离子的逆磁漂移方向.这些变化导致等离子体边界横向输运被抑制、整体约束得到改善.
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