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CMOS集成电路中由负温度不稳定性效应引起的老化已经严重威胁电路的可靠性，在一些安全关键领域的数字电路系统中老化问题尤为突出，而片上在线老化感应器是有效解决方案。文章提出了一种适应高速芯片使用的新老化感应器，通过利用感应器中稳定检测器的空闲时序，使其具有较好性能和更小的面积开销。在45nm工艺下仿真表明，新结构非常有效。