【摘 要】
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据《世界电子元器件》2009年12月报道,IR推出采用焊前金属(SFM)的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT)AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车(EV)、混合电动汽车(HEV)和中功率驱动器中的高
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据《世界电子元器件》2009年12月报道,IR推出采用焊前金属(SFM)的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT)AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车(EV)、混合电动汽车(HEV)和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。该晶体管采用了IR的最新一代场载止沟槽技术,大幅度降低了传导和开关损耗
In December 2009, IR introduced the AUIRG7CH80K6B-M, a 1200V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a pre-solder metal (SFM) for use in electric vehicles (HEVs), hybrid electric vehicles And high-current, high-voltage automotive inverter modules in mid-power drivers. The transistor uses the latest generation of IR-only trench technology, significantly reducing the conduction and switching losses
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