【摘 要】
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应用单次碰撞直接Monte Carlo方法模拟了keV级低能电子在超薄膜/固体衬底结构材料中的输运过程,计算研究了不同能量低能电子在几十nm厚超薄膜表面的背散射系数.给出了几种常
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应用单次碰撞直接Monte Carlo方法模拟了keV级低能电子在超薄膜/固体衬底结构材料中的输运过程,计算研究了不同能量低能电子在几十nm厚超薄膜表面的背散射系数.给出了几种常用超薄膜,固体衬底结构的电子背散射系数r随薄膜厚度D的变化曲线,及r-D曲线线性段背散射常数C随电子入射能量的变化关系.结果表明,在低能电子入射下,r-D曲线初始段存在单一的线性区,背散射常数C随入射电子能量减小而增加,并最终达到一极大值,该规律可作为薄膜厚度测量中选择电子能量的重要参考依据.
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