【摘 要】
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用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱
【机 构】
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英利能源（中国）有限公司光伏材料与技术国家重点实验室,风帆光伏能源有限公司
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（863计划）（2012AA050304）,太阳能光伏发电技术国家重点实验室建设项目（10963922D）
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用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
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