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美光科技公司（Micron Technology,Inc.）与英特尔公司宣布试制成功了业内首个基于行业领先的50nm工艺技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过IM闪存技术公司（IM Flash Technologies）制造，该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备，计划2007年开始大规模生产多种容量密度的50nm产品。