Ruthenium disulfide thin films prepared by the successive ionic layer adsorption and reaction （SILAR

来源 :稀有金属：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：villmid

【摘要】

：

RuS2 thin films were prepared by the cost-effective chemical method-successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR). The structural, optical, and electri

【作者】

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LIUXiaoxin JINZhengguo ZHAOJua

【机构】

：

KeyLaboratoryforAdvancedCeramicsandMachiningTechnologyofMinistryofEducation

【出处】

：

稀有金属：英文版

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

钌二硫化物薄膜选择性离子吸附制备 thin film SILAR method ruthenium disulfide

【基金项目】

：

Technology Committee, China

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RuS2 thin films were prepared by the cost-effective chemical method-successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR). The structural, optical, and electrical properties were investigated using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, optical

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