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通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H—SiCMESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H—SiCMESFET的结构及其特征参数EPcc，通过仿真对比了坡形栅4H—SiCMESFET结构EPCC分别为1／4栅、1／2栅、3／4栅和全栅时的直流特性。结果表明，当EPcc为1／2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在Vc=0V、VDs=40V的条件下达到了545mA；当EPCc为1／4栅、3／4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPcc为1／2栅时取得