【摘 要】
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基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,设计了一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR).采用温度曲率补偿技术和温度分段补偿技术,使该BGR获得低温漂特性.采用PSRR提升技
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院微电子系,重庆400065
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基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,设计了一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR).采用温度曲率补偿技术和温度分段补偿技术,使该BGR获得低温漂特性.采用PSRR提升技术,使所设计的BGR获得高PSRR特性.仿真结果显示,当温度从-50 ℃到125 ℃变化时,该BGR的温漂系数为1.85×10-6/℃,在频率为100 Hz、1 kHz、10 kHz时分别获得-88 dB、-83.6 dB、-65.8 dB的PSRR.
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