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针对可控硅触发角分区移相定时方法,讨论了由于同步电路参数变化所造成的可控硅漏触发情况,并在原触发角分区移相定时方法基础上给出了一种改进方法.
可控硅触发角移相定时方法探讨
【摘 要】
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针对可控硅触发角分区移相定时方法,讨论了由于同步电路参数变化所造成的可控硅漏触发情况,并在原触发角分区移相定时方法基础上给出了一种改进方法.
【机 构】
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大连铁道学院电气信息分院
【出 处】
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大连铁道学院学报
【发表日期】
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2001年4期
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