论文部分内容阅读
金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)技术是制备用于红外焦平面阵列(IRFFPA)的高质量碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺(IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理,并选择适合的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。