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分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.
GaN薄膜生长实时监控系统的实现
【摘 要】
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分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学电气工程与应用电子技术系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年9期
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