【摘 要】
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采用流延-化学气相渗透(TC-CVI)工艺制备SiC晶须(SiCw)/SiC层状陶瓷复合材料,研究了SiCw含量对层状陶瓷复合材料力学性能和微观结构的影响,探讨了SiCw/SiC层状陶瓷复合材料的
【机 构】
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西北工业大学材料学院,西安710072吉林化工学院理学院,吉林132022;西北工业大学材料学院,西安,710072;
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采用流延-化学气相渗透(TC-CVI)工艺制备SiC晶须(SiCw)/SiC层状陶瓷复合材料,研究了SiCw含量对层状陶瓷复合材料力学性能和微观结构的影响,探讨了SiCw/SiC层状陶瓷复合材料的强韧化机制.结果表明:TC-CVI工艺能够有效提高复合材料中晶须含量(40vol％),减少制备过程对晶须损伤,所制备的SiCw/SiC层状陶瓷复合材料具有合适的层内及层间界面结合强度.随着SiCw含量增加,层状陶瓷复合材料的密度和力学性能均有明显提高.含40vol％晶须的SiCw/SiC层状陶瓷复合材料的密度、弯曲强度和断裂韧性均比含25vol％晶须的分别提高了8.4％、30.8％和26.7％.断口形貌中能够观察到层间及层内的裂纹偏转,层内的裂纹桥接和晶须拔出等,这些为主要的增韧机制.高含量SiCw及合适的层间和层内界面结合强度,对提高SiCw/SiC层状陶瓷复合材料强韧性有明显作用.
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