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近日，中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。
物理所发现硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体
【摘 要】
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近日，中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发
【出 处】
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硅酸盐通报
【发表日期】
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2008年6期
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