【摘 要】
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利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺（PI）/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对ZnO纳米棒阵列进行表征.考察衬底的性质、反应溶液的浓度、
【机 构】
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南京工业大学材料化学工程国家重点实验室
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利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺（PI）/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对ZnO纳米棒阵列进行表征.考察衬底的性质、反应溶液的浓度、反应温度和反应时间对ZnO纳米棒阵列的影响.结果表明：c轴取向生长的ZnO薄膜衬底有助于形成六棱柱形ZnO纳米棒晶体.水溶液环境中生长的ZnO纳米棒晶体长径比受到反应溶液浓度和温度的影响.ZnO生长初期c轴方向生长速度较快,经过一段时间后纳米棒的直径开始增大,并且能和周围的纳米棒晶体融合生长形成更大的纳米棒晶体.
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