Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜的介电损耗机理研究

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用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg10Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
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