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本文提出了栅控超导临界温度Ｔｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管的原理，建立了场控Ｔｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｓＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。
栅控Tc的高温氧化物超导体场效应晶体管
【摘 要】
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本文提出了栅控超导临界温度Ｔｃ的高温氧化物超导体场效应晶体管的原理，建立了场控Ｔｃ的方程，估算和分析了器件特性，对发展和研究ＨＴＯＳｓ－ＭＯＳｓＦＥＴ的器件和电路有积极的指导意义。
【机 构】
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上海交通大学微电子学研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1995年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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