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基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜,合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8,在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au,硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感,显示了良好的重复性和稳定性.在1×10-5～1×10-2mol/L呈现线性,斜率为(56±2)mV/decade,检测下限为5×10mol/L,当浓度高于1×10-4mol/L时,响应时间不超过40 s;当低于此浓度时,响应时间不超过2 min.