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Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用，采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角，分别研究了（0002）、（1013）、（1012）、（1011）、（2021）五个面的X射线摇摆曲线，并且用Pseudo—Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线，我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行（1100）面反射币扫描直接测得面内扭转角，对第一种方法进行验证，两种方法测