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本文描述了硅中氮离子注入及其对硅热氧化生长的抑制作用。通过硅中氮离子注入，可获得高质量的薄氧化层。实验表明，只要氯离子注入条件选择合适，得到的薄氧化层的漏电和击穿都有明显改善，其氧化电荷并无较大增加。通过氮注入形成的氧化层与氨氛氧化的薄氧化层类似，完全可以运用于实际的半导体集成电路制作工艺中。
氮离子注入特性研究
【摘 要】
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本文描述了硅中氮离子注入及其对硅热氧化生长的抑制作用。通过硅中氮离子注入，可获得高质量的薄氧化层。实验表明，只要氯离子注入条件选择合适，得到的薄氧化层的漏电和击穿都有
【机 构】
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中国华晶电子集团公司!无锡,214061
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1995年4期
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