论文部分内容阅读
互补性金属氧化物半导体（complementary metal-oxide semiconductor，CMOS）工艺尺寸的不断缩小从正面影响了系统的尺寸和性能，同时也对集成电路的可靠性和信号完整性产生了严重的负面影响。为了解决这个问题，提出了一种时间模式信号处理电路代替传统的电压模式信号处理电路，在此基础上，设计了一种基于BSIM3模型、0．18unlCMOS工艺的时间模式放大器（TMA，Time-Mode Amplifier）电路，并对该电路进行了原理分析和Hspice仿真，实验结果表明，当输入时间差