【摘 要】
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利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结果表明,当原子配比Zn∶Te=1∶0.7,
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利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结果表明,当原子配比Zn∶Te=1∶0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜。稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但使薄膜光吸收增大而光学带隙减小。
The ZnTe polycrystalline thin films were prepared by vacuum evaporation, and the doping of rare earth elements Dy was carried out by double source method. The properties of the films were characterized by XRD and UV-Vis spectrophotometer. The results show that when the atomic ratio of Zn: Te = 1: 0.7 and the temperature of T = 500 ℃, a better ZnTe polycrystalline thin film can be prepared. Rare earth Dy doping does not change the phase structure of the sample, but the film light absorption increases and the optical band gap decreases.
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