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本文采用全差分源级退化电感和共源共栅结构设计了一款适用于GSM高频段手持设备的双模低噪声放大器电路.整个电路采用标准0.18μm CMOS工艺设计,实现了高增益、低增益和旁路三种增益模式.仿真结果表明:在DCS1800和PCS1900工作模式下,该低噪声放大器电路的最大电压增益分别是20.3dB和20.9dB,最小噪声系数分别是1.6dB和1.63dB,在1.8V电源电压下电流为5.5mA.设计的低噪声放大器完全满足DCS1800/PCS1900系统要求.